2022-03
反映出國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展。
在半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)流程中，拉晶步驟是保證硅片質(zhì)量的關(guān)鍵，在該環(huán)節(jié)需要用到單晶爐設(shè)備。
單晶爐由爐體、熱場、磁場、控制裝置等部件組成，硅料經(jīng)過提煉提純成為高純度的多晶硅后，需在單晶爐中得到單晶硅棒，其中控制爐內(nèi)溫度的熱場和控制晶體生長形狀的磁場是決定單晶爐生產(chǎn)能力的關(guān)鍵。
據(jù)了解，將多晶硅拉制成單晶硅主要有直拉法和區(qū)熔法兩種工藝，其中區(qū)熔法主要用于生產(chǎn)功率器件硅片，但目前大部分半導(dǎo)體硅片使用直拉法生產(chǎn)。
